MRFE6VP5600H 600W 50V MOSFET Transistor
MRFE6VP5600H 600W NXP high-ruggedness LDMOS transistor, 50V. Rated pour extreme TOS exceeding 65:1 at 5dB compression. For broadcast et industrial RF applications where reliability under mismatch is non-negotiable.
AcheterDescription du produit
Le MRFE6VP5600H est un transistor LDMOS haute robustesse 600W de NXP Semiconductors, fonctionnant à 50V. Sa désignation "H" indique une robustesse extrême, capable de résister à un TOS dépassant 65:1 à 5dB de compression sans dommage. Cela le rend idéal pour les étages de sortie des émetteurs de radiodiffusion où des conditions de désadaptation d'antenne peuvent survenir. Convient également au chauffage RF industriel, à la génération de plasma et à d'autres applications RF haute puissance. Composant authentique.
Spécifications techniques
| Part Number | MRFE6VP5600H |
|---|---|
| Power Output | 600W |
| Voltage | 50V |
| Ruggedness | High TOS tolerant |
| Applications | Industrial, broadcast, plasma exciters |
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