MRFE6VP5600H 600W 50V MOSFET Transistor
MRFE6VP5600H 600W NXP high-ruggedness LDMOS transistor, 50V. Rated para extreme ROE exceeding 65:1 at 5dB compression. For broadcast y industrial RF applications where reliability under mismatch is non-negotiable.
ComprarDescripción del producto
El MRFE6VP5600H es un transistor LDMOS de alta robustez de 600W de NXP Semiconductors, operando a 50V. Su designación "H" indica robustez extrema, capaz de soportar ROE superior a 65:1 a 5dB de compresión sin daños. Esto lo hace ideal para etapas de salida de transmisores de radiodifusión donde pueden ocurrir condiciones de desadaptación de antena. También adecuado para calentamiento RF industrial, generación de plasma y otras aplicaciones RF de alta potencia. Componente genuino.
Especificaciones técnicas
| Part Number | MRFE6VP5600H |
|---|---|
| Power Output | 600W |
| Voltage | 50V |
| Ruggedness | High ROE tolerant |
| Applications | Industrial, broadcast, plasma exciters |
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